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G900P15T
1个P沟道 耐压:150V 电流:60A
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- 描述
- 使用先进沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G900P15T
- 商品编号
- C7465312
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.862克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.932nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 152pF |
商品概述
G900P15T采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（Vds）：-150V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS） = -10V时）：-35A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = -10V时）：< 80mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器