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G350P02LLE
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G350P02LLE
- 商品编号
- C7465321
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 300mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.126nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 118pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
G230P06K采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用。
商品特性
- VDS -60V
- ID（VGS = -10 V时） -60A
- RDS(ON)（VGS = -10 V时） < 20 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器