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GT019N04D5
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT019N04D5
- 商品编号
- C7465313
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.163克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V；3.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 524pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
GT080N08D5采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS:40V
- ID(VGS = 10V时):120A
- RDS(ON)(VGS = 10V时):2.8mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5V时):4.0mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源开关-DC/DC转换器