温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G050P03T
1个P沟道 耐压:30V 电流:85A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G050P03T
- 商品编号
- C7465325
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V；5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 111nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.922nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 923pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
GT009N04D5采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：45V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10V时）：100A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 10V时）：1.3mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 4.5V时）：1.8mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器