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IRLR6225TRPBF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRLR6225TRPBF-VB

1个N沟道 耐压:20V 电流:120A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单路N-型场效应管，采用Trench技术，可为不同领域的电子设备提供稳定可靠的功率控制和管理功能。TO252；N—Channel沟道,20V；120A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.5~1V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRLR6225TRPBF-VB
商品编号
C7463569
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.391克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)3.75W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
栅极电荷量(Qg)171nC@10V
输入电容(Ciss)6.201nF@10V
反向传输电容(Crss)970pF@10V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

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