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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

STP40NF20-VB

1个N沟道 耐压:200V 电流:50A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。TO220；N—Channel沟道,200V；50A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=3.5~5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
STP40NF20-VB
商品编号
C7463572
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.74克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))-
属性参数值
耗散功率(Pd)166W
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)3nF@25V
反向传输电容(Crss)80pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

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