温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
SPA11N60C3-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，具有优秀的性能和可靠性。采用Plannar技术制造，适用于各种应用场合。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=170mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SPA11N60C3-VB商品编号
C7463585商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
2.386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
1+￥5.99
10+￥5.87
50+￥5.24￥262
100+￥5.16￥258
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
48
购买数量(50个/管，最小起订量 1 个 )
个
起订量：1 个50个/管
近期成交1单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
优惠券
