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IRFB7446PBF-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:180A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型MOSFET，采用Trench工艺，具有优异的性能和稳定性。适用于高功率电子设备的散热要求。TO220；N—Channel沟道,40V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFB7446PBF-VB商品编号
C7463573商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.672克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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