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SUB85N03-07P-GE3-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:98A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适用于中高功率和中电流的应用场景。TO263；N—Channel沟道,30V；98A；RDS(ON)=2.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SUB85N03-07P-GE3-VB商品编号
C7463587商品封装
TO-263包装方式
管装
商品毛重
2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.8mΩ@10V |
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