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AM4392N-T1-PF-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:3A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和汽车电子等多个领域。SOP8；N—Channel沟道,200V；3A；RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AM4392N-T1-PF-VB商品编号
C7463591商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.121333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 260mΩ@10V | |
| 功率(Pd) | 3W |
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