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FDS5351-NL-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:7.6A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，具有较高的工作稳定性和可靠性，适用于需要中小功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、智能家居控制模块和电动工具模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；7.6A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FDS5351-NL-VB
商品编号
C7463597
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.117333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)7.6A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V；35mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))1.2V@250uA；2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)21nC@10V；10.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.1nF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)90pF

数据手册PDF

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