SI4404DY-T1-E3-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:18A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种电子电路模块的设计和应用。例如电源管理模块、电机驱动模块、LED照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；18A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI4404DY-T1-E3-VB

商品编号

C7463609

商品封装

SO-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.120333克(g)