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IRL1404ZPBF-VB实物图
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IRL1404ZPBF-VB

1个N沟道 耐压:40V 电流:180A

描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于高功率电子设备的散热要求。TO220;N—Channel沟道,40V;180A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
商品型号
IRL1404ZPBF-VB
商品编号
C7463581
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.778克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on))2mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.13W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)120nC@10V
输入电容(Ciss)9nF@20V
反向传输电容(Crss)450pF@20V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)650pF

数据手册PDF

交货周期

订货9-11个工作日

购买数量

(1个/管,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/管

总价金额:

0.00

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