温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HUF75645S3ST-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，采用Trench工艺制造，具有较高的漏极电流能力和低导通电阻，适合用于电源逆变器中的开关电路等领域。TO263；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HUF75645S3ST-VB
- 商品编号
- C7463578
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.55nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(50个/管，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- IPA60R190C6-VB
- IPD50N06S2L-13-VB
- IRL1404ZPBF-VB
- NID9N05ACLT4G-VB
- STF24N60M2-VB
- SPA11N60C3-VB
- 2SK1589-T1B-A-VB
- SUB85N03-07P-GE3-VB
- IRFI9540GPBF-VB
- FDN537N-NL-VB
- SQP50P03-07-GE3-VB
- AM4392N-T1-PF-VB
- SI7483ADP-T1-GE3-VB
- SI4539DY-T1-E3-VB
- APM8010KC-TRL-VB
- SQ2303ES-T1-GE3-VB
- FDS9926A-NL-VB
- FDS5351-NL-VB
- PHB32N06LT-VB
- NTD5807NT4G-VB
- IRFZ44VPBF-VB