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FDD8778-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:70A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FDD8778-VB
商品编号
C7463576
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V；9mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3.25W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC@10V；25nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.201nF
反向传输电容(Crss)370pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)525pF

数据手册PDF

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