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FDD8778-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:70A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FDD8778-VB商品编号
C7463576商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V,21.8A | |
| 功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.201nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 370pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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