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STP120NF10-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

STP120NF10-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:100A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块，如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。TO220；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
STP120NF10-VB
商品编号
C7463567
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.752克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)105nC@10V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

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