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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPD90N06S4L-06-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:97A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,60V；97A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IPD90N06S4L-06-VB
商品编号
C7463563
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.394克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)97A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)136W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)125nC@10V
输入电容(Ciss)6.06nF@25V
反向传输电容(Crss)250pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

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