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TM08N03SI
1个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- N沟道,30V,8A,20mΩ@10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM08N03SI
- 商品编号
- C7463161
- 商品封装
- SOT-89-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1555克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤素
商品特性
- VDS = 30V,ID = 8.0A
- RDS(ON) = 20mΩ(典型值)@ VGS = 10V
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
- 100%进行了栅极电阻测试
- 丝印标记:HD36
- 封装:SOT-89-3L
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制