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TM30N03BDF
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 低导通电阻。符合RoHS标准且无卤
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM30N03BDF
- 商品编号
- C7463222
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0762克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 99pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 30A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) = 9mΩ(典型值)
- 100%进行非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 100%进行栅极电阻Rg测试
应用领域
-负载开关-脉宽调制(PWM)