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TMN10010DF
N沟道增强型MOSFET
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- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TMN10010DF
- 商品编号
- C7463243
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06855克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.514nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SI9801DY-T1-E3采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于逆变器及其他应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 10 A
- 栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) = 95 mΩ(典型值)
- 100%进行单脉冲雪崩耐量测试
- 100%进行栅极电阻测试
- 绿色环保产品
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制