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TM3007NF
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- N沟道,30V,50A,7mΩ@10v,P沟道,-30V,-50A,10mΩ@-10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM3007NF
- 商品编号
- C7463253
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W；21.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V；2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF；233pF |
商品概述
-低漏源导通电阻(RDS(ON))-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- N沟道
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 50 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 7 mΩ（典型值）
- P沟道
- 漏源电压（VDS） = -30 V，漏极电流（ID） = -50 A
- 栅源电压（VGS） = -10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 10 mΩ（典型值）
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100%进行了栅极电阻（Rg）测试
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)
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