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TMN10003I
1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- N沟道,100V,3A,200mΩ@10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TMN10003I
- 商品编号
- C7463233
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
-低漏源导通电阻(RDS(ON))-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- VDS = 100V,ID = 3.0A
- RDS(ON) = 200mΩ(典型值),VGS = 10V 时
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量测试
- 100% 进行了栅极电阻测试
- 丝印标记:3N10 或 1002
应用领域
-负载开关-脉宽调制(PWM)