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TMN3008SI
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 8.0A
- 栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) = 20 mΩ（典型值）
- 100%进行了非钳位感性负载开关测试
- 100%进行了栅极电阻Rg测试
应用领域
- 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)