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TM30G03NF
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- N沟道,30V,30A,9.5mΩ@10v,P沟道,-30V,-20A,21mΩ@-10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM30G03NF
- 商品编号
- C7463228
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1415克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V；15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.24nF；633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 99pF；138pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF；151pF |
商品概述
-低漏源导通电阻(RDS(ON))-符合 RoHS 标准且无卤素
商品特性
- N 沟道
- VDS = 30V,ID = 30A
- RDS(ON) = 9.5mΩ(典型值),VGS = 10V
- P 沟道
- VDS = -30V,ID = -20A
- RDS(ON) = 21mΩ(典型值),VGS = -10V
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量测试
- 100% 进行了栅极电阻测试
- 绿色产品
- 丝印:30G30 或 3030
- 封装:DFN5x6 - 8L
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制