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TM07N03MI
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.6A
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- 描述
- N沟道,30V,6.6A,23mΩ@10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM07N03MI
- 商品编号
- C7463216
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 6.6A
- 栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) = 23mΩ(典型值)
- 100%进行了非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 100%进行了栅极电阻Rg测试
- 丝印标记:X0
应用领域
-负载开关-脉宽调制(PWM)