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TM10N10DF
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 低RDS(ON)。符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM10N10DF
- 商品编号
- C7463219
- 商品封装
- PDFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0685克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.514nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 56pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |