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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V,23A | |
| 耗散功率(Pd) | 400W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.4nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
80N02F是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 80N02F符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 优化的体二极管反向恢复性能
- 低导通电阻和低传导损耗
- 小封装
- 超低栅极电荷,降低驱动要求
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 功率因数校正 (PFC)
- 开关电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- LLC 半桥
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