- 引脚图
- 焊盘图
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NCE60NP4035K
NCE60NP4035K
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60NP4035K
- 商品编号
- C7436839
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A；40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V；31mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38.5nC；40.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.62nF；2.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF；97.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 119pF；112pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
NCE60NP4035K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 60V,漏极电流ID = 40A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 15.5 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 22 mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -60V,漏极电流ID = -35A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 35 mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 散热性能良好的优质封装
- 具备高静电放电(ESD)能力的特殊工艺技术
应用领域
-H桥电路-逆变器