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80N02F
1个N沟道 耐压:20V 电流:80A
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- 描述
- 80N02F是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80N02F符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易雪崩击穿（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 80N02F
- 商品编号
- C7437081
- 商品封装
- DFN5x6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18458克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 386pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
应用领域
- 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理
- DC/DC和AC/DC（同步整流）子系统中的电流切换
- 电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动