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40N02
1个N沟道 耐压:20V 电流:40A
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- 描述
- 40N02是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 40N02
- 商品编号
- C7437085
- 商品封装
- TO-252-4R
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4848克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
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(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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