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20N02
1个N沟道 耐压:20V 电流:20A
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- 描述
- 20N02 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20N02 符合 RoHS 标准和绿色产品要求。100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 20N02
- 商品编号
- C7437087
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46648克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 801pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(on)。这款超结 MOSFET 满足行业对功率因数校正 (PFC)、AC/DC 电源转换和工业电源应用的 AC-DC 开关电源 (SMPS) 要求。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%通过易感性评估(EAS)
应用领域
- 功率因数校正 (PFC)
- 开关电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- LLC 半桥