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60N02D
1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- 60N02D是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。60N02D符合RoHS标准，属于绿色产品，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 60N02D
- 商品编号
- C7437080
- 商品封装
- PDFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 386pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XCH2301 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 XCH2301 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%易感性雪崩耐量(EAS)保证