温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2012S
1个N沟道 耐压:20V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 2012S 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。2012S 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 2012S
- 商品编号
- C7437076
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.186克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 164pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单