温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
JMTP3010D
双N沟道增强型功率MOSFET
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 双N沟道增强型功率MOSFET
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTP3010D
- 商品编号
- C7436863
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.180075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.011nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 119pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 142pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 30V、12A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 12 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 18 mΩ
- 先进沟槽技术
- 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理