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JMSH1509AC-U
150V 9.0mΩ N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：超低RDS(ON)。 低栅极电荷。 100% UIS测试，100% Rg测试。 无铅镀层。 无卤且符合Refs标准。应用：电信、工业自动化、消费电子中的电源管理。 DC/DC和AC/DC（SR）子系统中的电流切换
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMSH1509AC-U
- 商品编号
- C7436866
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.746克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.181nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.9pF | |
| 输出电容(Coss) | 363pF |
商品概述
2320A 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2320A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
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