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JMTJ3400A实物图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

JMTJ3400A

N沟道增强型功率MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 特性：30V, 5.8A。 RDS(ON) < 26.7mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 28.6mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 35.2mΩ @ VGS = 2.5V。先进的沟槽技术。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：负载开关。 PWM应用
品牌名称: JJW(捷捷微)
商品型号: JMTJ3400A
商品编号: C7436875
商品封装: SOT-23-3L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.046133克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	5.8A
	导通电阻(RDS(on))	27.1mΩ@2.5V；22mΩ@4.5V；20.5mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	1.3W
	阈值电压(Vgs(th))	950mV@250uA

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