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6N136S(UMW)
DC
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- 描述
- UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容，为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距（M型）和贴片式（SMD）可选
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- 6N136S(UMW)
- 商品编号
- C7436894
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8456克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.45V | |
| 输出电流 | 8mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出通道数 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 15% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 50% | |
| 总功耗(Pd) | 100mW | |
| 正向电流(If) | 25mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
UMW 6N135/6N136光耦合器由一个850nm砷铝镓发光二极管与一个高速光电探测晶体管光耦合而成。光电二极管的偏置采用独立连接，通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，使其速度比传统光电晶体管光耦合器提高了数个数量级。该器件采用8引脚DIP封装，并提供宽引脚间距型和表面贴装型选项。
商品特性
- 开集电极输出
- 兼容TTL电平
- 高比特率：1 MBit/s
- 优异的共模抑制比：10 kV/μs
- 保证的电流传输比：0 - 70°C
- 符合RoHS标准
应用领域
- 与CMOS、LSTTL、TTL电路的输出接口
- 电信设备
- 电机驱动中的功率晶体管隔离
- PESD12VS1UB(UMW)
- PESD3V3S1UB(UMW)
- PESD5V0S1UB(UMW)
- PESD15VS1UB(UMW)
- SM712(UMW)
- PESD5V0S1UA(UMW)
- HT7540-1
- HT7140-1
- RVT1E680M0605
- KF2EDGV-3.5-2PZYZ
- KF2EDGV-3.5-3PZYZ
- KF2EDGV-3.5-4PZYZ
- KF2EDGV-3.5-5PZYZ
- KF2EDGV-3.5-6PZYZ
- KF2EDGV-3.5-7PZYZ
- KF2EDGV-3.5-8PZYZ
- KF2EDGV-3.5-9PZYZ
- KF2EDGV-3.5-10PZYZ
- KF2EDGR-3.5-2PZYZ
- KF2EDGR-3.5-3PZYZ
- KF2EDGR-3.5-4PZYZ