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IRLR2905TR(UMW)实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLR2905TR(UMW)

1个N沟道 耐压:60V 电流:30A

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描述
特性:使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压(VDS):60V。 漏极电流(ID):30A(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 23mΩ(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 29mΩ(VGS = 4.5V)。 先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 获得无铅产品认证
商品型号
IRLR2905TR(UMW)
商品编号
C7436892
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.48048克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))23mΩ@10V
耗散功率(Pd)55W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V@250uA
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)1.562nF
反向传输电容(Crss)66.8pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)75.4pF

数据手册PDF

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