IRLR2905TR(UMW)
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 特性:使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压(VDS):60V。 漏极电流(ID):30A(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 23mΩ(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 29mΩ(VGS = 4.5V)。 先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 获得无铅产品认证
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRLR2905TR(UMW)
- 商品编号
- C7436892
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.562nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 75.4pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交4单
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