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JMTG170N06A
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 特性：60V, 40A。 RDS(ON) < 15mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 21mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTG170N06A
- 商品编号
- C7436874
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
2010S是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。2010S符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试保证，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 60V、40A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 15 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 21 mΩ
- 先进沟槽技术
- 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理
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