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JMTP080N04D
双N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：40V, 13A。 RDS(ON) < 10.3mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 13.7mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTP080N04D
- 商品编号
- C7436807
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.182025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.443nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 138pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |