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NCE3008Y实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE3008Y

1个N沟道 耐压:30V 电流:8A

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描述
NCE3008Y采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品型号
NCE3008Y
商品编号
C7436805
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.057067克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)19.4nC@15V
输入电容(Ciss)784pF
反向传输电容(Crss)93.8pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 8A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 17 mΩ
  • 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 22 mΩ
  • 具备高功率和高电流处理能力
  • 产品无铅
  • 采用表面贴装封装

应用领域

  • 电池开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF