温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBA3108N
1个N沟道 耐压:100V 电流:3.4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款一款双N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、信号放大器、LED驱动模块、电动工具控制器等多种领域和模块。SOP8；2个N—Channel沟道,100V；5.8A；RDS(ON)=63mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA3108N
- 商品编号
- C7429143
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@10V；84mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 提供 N 沟道 MOSFET