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VBA3108N
1个N沟道 耐压:100V 电流:3.5A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款一款双N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、信号放大器、LED驱动模块、电动工具控制器等多种领域和模块。SOP8；2个N—Channel沟道,100V；5.8A；RDS(ON)=63mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBA3108N商品编号
C7429143商品封装
SOP8包装方式
编带
商品毛重
0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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