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VBA3860
1个N沟道 耐压:80V 电流:3.5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用了Trench技术，具有高效率和可靠性，适用于各种低功耗和中功率电源管理应用，提供了优异的功率转换和电流驱动能力。SOP8；2个N—Channel沟道,80V；3.5A；RDS(ON)=62mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3.5~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA3860
- 商品编号
- C7429145
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |