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VBQA2412
1个P沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于多种电子领域和模块。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-40V；-40A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQA2412
- 商品编号
- C7429161
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V；12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V；42.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.65nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
优惠活动
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