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VBQF2317
1个P沟道 耐压:30V 电流:24A
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- 描述
- DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-24A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF2317
- 商品编号
- C7429163
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V；27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 27.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V；15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义，无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载开关
- 电机驱动