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VBJ1158N
1个N沟道 耐压:150V 电流:6.5A
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- 描述
- SOT223；N—Channel沟道,150V；6.5A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBJ1158N
- 商品编号
- C7429154
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V；75mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.735nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 极低的 Qgd（栅极 - 漏极电荷），可降低开关损耗
- 100% 进行 Rg（栅极电阻）测试
- 100% 进行雪崩测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关