VBJ1203M
1个N沟道 耐压:200V 电流:3A
描述
SOT223;N—Channel沟道,200V;3A;RDS(ON)=283mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBJ1203M商品编号
C7429155商品封装
SOT223-3包装方式
编带
商品毛重
0.169克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
耗散功率(Pd) | 96W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.8nF@25V | |
反向传输电容(Crss) | 80pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度价格
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