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VBE1154N
1个N沟道 耐压:150V 电流:25A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型的Trench技术MOSFET，适用于电源管理、医疗设备、消费电子等领域。TO252；N—Channel沟道,150V；40A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBE1154N商品编号
C7429147商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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