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VBE2406
1个P沟道 耐压:40V 电流:90A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench技术，适用于各种电子设备和系统中。TO252；P—Channel沟道,-40V；-90A；RDS(ON)=6.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE2406
- 商品编号
- C7429152
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.675nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 855pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100% 进行了 Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 机顶盒-低电流 DC/DC 转换器