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VBA1606
1个N沟道 耐压:60V 电流:15A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种电源管理和功率放大应用。SOP8；N—Channel沟道；60V；16A；RDS(ON)=4.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBA1606商品编号
C7429142商品封装
SOP8包装方式
编带
商品毛重
0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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