温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBA1606
1个N沟道 耐压:60V 电流:16A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种电源管理和功率放大应用。SOP8；N—Channel沟道；60V；16A；RDS(ON)=4.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA1606
- 商品编号
- C7429142
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.531nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 153pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 382pF |
商品特性
- 低品质因数（FOM）导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 降低开关和导通损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源（SMPS）
- 功率因数校正电源（PFC）
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域